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　　美光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已经(jīng)不(bù)是主要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīn夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁g)、美光、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应夏洛的网作者是谁 夏洛的网主人公是谁的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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