大(dà)家好，来看一则突(tū)发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)蝴蝶会采蜜吗题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务进(jìn)蝴蝶会采蜜吗入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NA蝴蝶会采蜜吗ND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设(shè)备厂或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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