大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突(tū)发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平(幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fá幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会ng)范产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、幸会幸会后面接什么有趣，高情商回复幸会22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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