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　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，中原地区种植葡萄始于哪个朝代 秦朝的时候有葡萄吗>我国内关键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨(jù)头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了(le)长期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)中原地区种植葡萄始于哪个朝代 秦朝的时候有葡萄吗外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　中原地区种植葡萄始于哪个朝代 秦朝的时候有葡萄吗>分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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