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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品未通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的(de)必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定(dìng足疗买钟出去是睡觉吗，怎么跟宾馆前台说要服务)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美(měi)国(guó)的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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