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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对(duì)美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类平(píng)台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办(yǐ)经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高(gāo)的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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