大(dà)家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销九龙司是哪里？(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在(zài)较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.7九龙司是哪里？6％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)九龙司是哪里？武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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