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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，三衢道中古诗曾几的几,怎么读，曾几的三衢道中的意思>我国内关(guān)键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国(三衢道中古诗曾几的几,怎么读，曾几的三衢道中的意思guó)企业、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过(guò)美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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