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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查作伴还是做伴哪个对，作伴还是做伴正确>

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全作伴还是做伴哪个对，作伴还是做伴正确，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài作伴还是做伴哪个对，作伴还是做伴正确)广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂(chǎng)签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增(zēng)长。

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