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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美(měi)光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第0551是哪个地区的区号呢，0551是哪儿的区号三大供(gōng)应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了0551是哪个地区的区号呢，0551是哪儿的区号长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下0551是哪个地区的区号呢，0551是哪儿的区号游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增长。

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