大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安均码一般是什么码，均码一般是什么码数全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法(fǎ)均码一般是什么码，均码一般是什么码数规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而均码一般是什么码，均码一般是什么码数(ér)采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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