大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)之字是什么结构的字，近字是什么结构5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，之字是什么结构的字，近字是什么结构trong>国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)之字是什么结构的字，近字是什么结构strong>

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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