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羽生结弦说为什么努力得不到回报,羽生结弦近视多少度

羽生结弦说为什么努力得不到回报,羽生结弦近视多少度 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则(zé)突发消息。

  美(měi)光公羽生结弦说为什么努力得不到回报,羽生结弦近视多少度司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信办(bàn)消息(xī),日前,网络(luò)安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

  审查(chá)发现,美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患,对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为(wèi)此,网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全(quán)法(fǎ)》等法律法规,我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查,目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安全,是维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市(shì)场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发(fā)!中国(guó)出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网(wǎng)信(xìn)网发文称,为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施供应链安(ān)全,防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险,维护国(guó)家安全,依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法》,网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国(guó)出手:停止采(cǎi)购!

  美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī),2022年收入来自(zì)中(zhōng)国(guó)市场收入(rù)从此前(qián)高峰57%降至2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash (闪存(cún))市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM (内(nèi)存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降,至少已经不是主要(yào)大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商,采购(gòu)约31亿元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报(bào)显示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约,确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的供应优势,公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作。

  有券商此前(qián)就分析,如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制,或(huò)将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称(chēng),长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤,同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到(dào) 60:1的深(shēn)孔羽生结弦说为什么努力得不到回报,羽生结弦近视多少度,未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或(huò)者沟(gōu)槽(cáo),催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单,设备国(guó)产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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