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为什么管拜登叫拜振华? 拜登是哪年出生

为什么管拜登叫拜振华? 拜登是哪年出生 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

  美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全审(shěn)查办公室依(yī)法对美光公司在华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现(xiàn),美(měi)光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患(huàn),对我国关键信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此(cǐ),网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全(quán)审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规,我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

  此次对(duì)美光公司产品进行(xíng)网络安全审查,目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全,是维护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险,维护国(guó)家(jiā)安(ān)全,依据(jù)《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》,网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

  半导体突(tū)发!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨为什么管拜登叫拜振华? 拜登是哪年出生头之一(yī),2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市(shì)场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降(jiàng),至少已经不(bù)是主要大(dà)供应(yīng)商。

  公告显示(shì), 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年(nián),江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示,江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性,巩固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就分析(xī),如果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外为什么管拜登叫拜振华? 拜登是哪年出生NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu),同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60:1的深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的(de)孔或者沟槽(cáo),催生更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù),薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng),以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科(kē)(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等(děng)收入增(zēng)长。

 

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