大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基(jī)础(chǔ)设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(全的偏旁还有什么字，全的偏旁还有什么字再组词yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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