大家(jiā)好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的(de)必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平音乐风格pop什么意思啊，pop 音乐风格对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún音乐风格pop什么意思啊，pop 音乐风格)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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