大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网(wǎng)络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实(shí)施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二(èr)大和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或(huò)将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限制名(mí竹林七贤顺口溜记忆法，建安七子顺口溜怎么读ng)单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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