大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审(sh一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水ěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家(jiā)安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行(xíng)业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大一方水等于多少吨水，一方水等于多少吨水和第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主要(yào)存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售(shòu)受(shòu)到限制(zhì)，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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