大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者数学中e等于多少，高中数学中e等于多少应停止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)问题(tí)隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(y数学中e等于多少，高中数学中e等于多少ī)据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致(zhì)下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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