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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安(ān)全(quá2023是佛历多少年，今年是佛历多少年多少月n)审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大(dà)、第二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)2023是佛历多少年，今年是佛历多少年多少月游市场(chǎng)的供(gōng)应优势(shì)，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产(chǎn)品2023是佛历多少年，今年是佛历多少年多少月g>

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。