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嘴巴含胸的感觉知乎

嘴巴含胸的感觉知乎 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大(dà)家好,来(lái)看一则(zé)突(tū)发(fā)消息。

  美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

  审查发现,美光公(gōng)司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险,影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为此,网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī),我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公司产品。

  此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全(quán)审(shěn)查,目的是防范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全,是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放,只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎(yíng)各(gè)国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

  半导体突(tū)发(fā)!中国(guó)出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网(wǎng)发文(wén)称,为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险,维(wéi)护国家(jiā)安全,依(yī)据(jù)《中华(huá)人民(mín)共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络安全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采(cǎi)购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙(lóng)头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一(yī),2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 D嘴巴含胸的感觉知乎RAM (内存)市(shì)场份额约(yuē)为 94.35%。

  A股上市公(gōng)司中,江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降,至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显示(shì), 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng),采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì),江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签(嘴巴含胸的感觉知乎qiān)署了长期合约(yuē),确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性,巩(gǒng)固公司在下(xià)游市场的供应优势,公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

  有券商此前就分析(xī),如果(guǒ)美光在中国区销售受到(dào)限制,或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步嘴巴含胸的感觉知乎骤(zhòu),同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉(chén)积(jī))等相关公(gōng)司份额提升(shēng),以(yǐ)及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增长。

 

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