大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过(guò)网络翡翠手镯用紫光照为什么会有荧光，翡翠镯子太阳光下有紫色荧光安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区(qū)销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cú翡翠手镯用紫光照为什么会有荧光，翡翠镯子太阳光下有紫色荧光n)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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