大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发(fā)消息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。学生党如何自W，如何自我安抚strong>为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和(hé)国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光(guān学生党如何自W，如何自我安抚g)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和(hé)第(dì)三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。