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　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)希望的拼音是什么未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防范产品网络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深希望的拼音是什么的(de)孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储(chǔ)业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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