大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链(liàn)造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大(dà)和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下(xià)游建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性，巩(gǒng)固公吊带和背心有什么区别，吊带和背心有什么区别司在下(xià)游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)吊带和背心有什么区别，吊带和背心有什么区别。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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