大家好(hǎo)，来看一(yī)则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōn金典保质期一般是多久啊 金典牛奶过期了几天还能喝吗g)司在华销(xiāo)售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司(sī)产品进(jìn)行网络安全审查(chá)，目(mù)的是防范产品网络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定(dìng)推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络(luò)安全(quán)风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全(quán)法(金典保质期一般是多久啊 金典牛奶过期了几天还能喝吗fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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