大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依(yī)法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yín俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口g)者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全(quán)审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国(guó)家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规要(yào)求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露(lù)过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的(俩人与两人的区别用哪个合适，小俩口还是小两口de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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