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一里地等于多少米 一里地等于多少公里

一里地等于多少米 一里地等于多少公里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好(hǎo),来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司(sī)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过(guò)网(wǎng)络安全审查一里地等于多少米 一里地等于多少公里p>

  据网(wǎng)信办消息,日(rì)前,网络(luò)安全审查办(bàn)公室依(yī)法对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患,对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī),我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

  此次对(duì)美光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全,是维(wéi)护国家安全的(de)必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放,只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求,欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市(shì)场。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险,维护国家安(ān)全,依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》,网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购!

  美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头,也是全球存(cún)储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57%降至2022年约11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市场份额(é)约(yuē)为 96.76%,三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下(xià)降,至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应优势,公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

  有券商此前(qián)就分(fēn)析,如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制,或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì),国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NA一里地等于多少米 一里地等于多少公里ND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu),同一里地等于多少米 一里地等于多少公里(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60:1的深孔,未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子披露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名(míng)单,设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速,看好(hǎo)拓荆科技(jì)(薄膜(mó)沉积)等相关公司份(fèn)额提(tí)升,以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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