大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　大家真的都放不进脉动瓶口吗，一般进得去脉动瓶口吗　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造(zào)成(chéng)网络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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