大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美(měi)光公(gōng)司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全(quán)，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采购金额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公(gōng怎么测信息素，免费测abo性别和信息素气味)司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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