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　　美光公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家(jiā)安全(qu戴自动蝴蝶去上班感受，被要求带着玩具上班án)的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加(jiā)工设(shè)备。戴自动蝴蝶去上班感受，被要求带着玩具上班3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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