大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)马云移民到哪国籍服务进入中国市场(chǎng)。

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　　3月(yuè)31日(rì)，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办(bàn)公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂商为公司(sī)马云移民到哪国籍供应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等(děng)主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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