大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基础设施(shī)的运营100块钱值多少美元，100美元是几百元钱者(zhě)应(yīng)停止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(100块钱值多少美元，100美元是几百元钱é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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