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　　美光公司在华销售的产品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品四川地震最新消息今天，20分钟前四川刚刚发生地震。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全四川地震最新消息今天，20分钟前四川刚刚发生地震，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波(bō)龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，四川地震最新消息今天，20分钟前四川刚刚发生地震国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增(zēng)长。

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