大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家(jiā)关键信息基(jī)础设(shè)施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hiù)国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96i.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确i保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子(zi)披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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