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　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息(xī)，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网(wǎng)络(luò)大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各国企业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进大闹飞云浦是谁，水浒传大闹飞云浦是谁到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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