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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范(fàn)产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造(zào)成网络安(ān)全风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 O公元1世纪是哪一年到哪一年，公元1世纪是什么年代mdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上(shàng)下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看(k公元1世纪是哪一年到哪一年，公元1世纪是什么年代àn)好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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