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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网络安(ān)全审查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上(shàng)下游建立国(guó)内外广泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng画的作者是谁 画的作者是高鼎吗)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名画的作者是谁 画的作者是高鼎吗单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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