大家好，来(lái)看一则突发消(xiā生乎吾前其闻道也固先乎吾翻译句式，生乎吾前其闻道也固先乎吾翻译成现代汉语o)息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络(luò)安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平(píng)台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审(shěn)查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，生乎吾前其闻道也固先乎吾翻译句式，生乎吾前其闻道也固先乎吾翻译成现代汉语2 维到(dào)3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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