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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对(d特利迦奥特曼的脚底痒怎么办，奥特曼的脚怕痒吗le='color: #ff0000; line-height: 24px;'>特利迦奥特曼的脚底痒怎么办，奥特曼的脚怕痒吗uì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三(sān)大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存(cún特利迦奥特曼的脚底痒怎么办，奥特曼的脚怕痒吗)储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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