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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关(g碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别uān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。<碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别/p>

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美碾压与辗轧的区别是什么，辗轧与碾压有什么区别光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供(gōng)应优势，公司也(yě)与(yǔ)国(guó)内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大(dà)量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入(rù)增长。

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