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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止台湾swag是什么，swag是什么意思什么梗采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

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　　美光是美国的(de)存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国(guó)内(nèi)国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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