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　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应停身份证号码150开头是哪里的，身份证号150开头的是哪里的止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市(shì)场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要(yào)存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存(cún)储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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