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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日罗锅上山是什么意思，罗锅上山样子图片前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维(w罗锅上山是什么意思，罗锅上山样子图片éi)护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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