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　　美(měi)光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应(yīng)停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江电动牙刷如何自w到高c，将电动牙刷放在小洞里作文(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在中国区(qū)销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国(guó)限(xiàn)制名单(dān)，设备(bèi)国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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