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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露(lù)过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采(cǎi)购(gòu)占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从(cóng)中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的(de)孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名(míng)单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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