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　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)造成(chéng)重大安(ān)全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危(wēi)害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安(ān)全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共和国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

　荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内(nèi)外广泛荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人t: 24px;'>荔枝比喻女人哪个部位，荔枝形容女人合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深(shēn)的(de)孔(kǒng)或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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