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　　美光公司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平(píng)对外(wài)开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示沅有芷兮澧有兰什么意思怎么读，沅有芷兮澧有兰 什么意思，江波(bō)龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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