大家好，来看一则(zé)突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安(ān)全审(shěn)查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全(quán)问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来自中国市场(c筑梦未来是什么意思，锦时筑梦是什么意思hǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022筑梦未来是什么意思，锦时筑梦是什么意思年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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