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　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发湖南电大几本，湖南长沙电大是几本文称，为保障关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链(liàn)安(ān)全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存(cún)储晶圆湖南电大几本，湖南长沙电大是几本原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就(jiù)分析，如果美(měi)光在(zài)中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀(shí)和薄膜(mó)成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或(huò)者沟湖南电大几本，湖南长沙电大是几本槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长。

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